在許多高科技應用中需要對臺階高度進行準確和可重復測量。AUBAT提供了許多儀器專門設計用于滿足臺階高度測量的這些*高要求。臺階高度的覆蓋范圍在亞納米至毫米之間，可重復性在0.1納米以下。
三維臺階高度
為表面上兩個區域所定義的兩個平面提供高度差。**個區域被定義為參考區域，軟件將調整此區域中的*小二乘平面。然后據此測量**個平面。同時測量的還有平均臺階高度、*大高度和*小高度以及角度差。
二維臺階高度
為蝕刻線或矩形區域之類的簡單幾何形狀提供臺階高度測量方法。在邊緣暴露的情況下，二維臺階高度還可以用于測量厚度。
ISO 5436-1 臺階高度
在嘗試對不同測量儀器所做的臺階高度測量進行比較時，按照標準測量方法進行測量非常重要。ISO 5436-1提供了國際公認的臺階高度測量方法。上述儀器均支持此標準。
微型機電系統（MEMS）如今用于許多應用領域，其中包括壓力和加速度傳感器、微晶鏡片顯示裝置和微型流體泵。MEMS裝置充分利用集成電路行業所使用的制造技術，來創建諸如齒輪、隔膜和結合梁之類的機械構件。準確測量所有這些構件對于滿足低成本高質量的MEMS裝置的批量生產要求至關重要。
粗糙度
通過準確測量MEMS裝置內的粗糙度，可以控制表面的相互作用 - 無論這些相互作用是微型齒輪系統中固體與固體之間的相互作用，還是微型流體泵中固體與液體之間的相互作用。
臺階高度
監控MEMS裝置的臺階高度是一項重要的性能指標。臺階高度與橫向尺寸信息一起可以提供有效的質量近似值，此近似值可影響裝置中單個元件的基本振蕩頻率。
橫向尺寸
在對微型齒輪和流體系統進行定性時，橫向尺寸特別重要。對體積和表面積以及諸如梁寬之類的重要尺寸進行準確測量，有助于控制*終裝置的性能。
激光蝕刻是用于集成電路打印標號的主要方法之一。其部分原因是由于激光標記是防竄改的識別方法。防竄改標記大大有助于減少IC贗品，它還有助于銷售具有較高速度和規格的IC產品。
臺階高度
由于IC封裝變得更小更薄，所以激光蝕刻臺階高度的測量要求也變得更加重要。激光蝕刻的目標深度通過兩項指標要求來描述。首先，深度必須足以提供可被IC系統讀出的防篡改標記，其次，深度不可過度，不能損壞芯片上的電路。
粗糙度
蝕刻標記的表面粗糙度是控制能否通過機器或人眼輕易讀出*終標識的一個重要因素。表面越粗糙，分散的光越多，這樣可增加標記與其周圍表面之間的對比度。
由于光電組件在電訊和顯示技術領域的的用途不斷擴展，外延技術成為組件生產的關鍵技術。外延是指在單晶基片表面上沉積非常薄的半導體物質層的過程。每個晶體層稱為外延層。
表面粗糙度
對于客戶和供應商而言，表面紋理是確定外延半導體質量的極其重要的參數。對于目前的驅動器而言，因為要在硅片上印刷的電路越來越小，所以粗糙度容差范圍變得更窄。磊晶片的表面粗糙度規定為納米級，所以這需要使用噪音非常低且分辨率高的系統來測量磊晶片。
后端流程測量對于控制IC封裝的*終質量非常重要。在焊接設備時，IC封裝問題可能會引起連接問題，致使焊線斷連、芯片接觸點上產生突起物以及IC線路上的承受應力增加。由于這些原因，不僅是控制壓模的幾何形狀很重要，控制壓模固定區域的平面度、壓模和封裝上附著點之間的臺階高度以及焊線附著區域的粗糙度也很重要。
平面度
將壓模的平面度與壓模固定區域的平面度進行匹配對于在封裝過程以及裝置的整個操作過程中減小IC上的承受應力非常重要。另外，為了確保IC布局正確、焊接時產生良好的電接點，還需要控制整個封裝的平面度。
粗糙度
為了確保在附加壓模時能夠產生良好的附著性能，需要對壓模固定區域的表面粗糙度進行控制。另外，焊線附著區域的粗糙度對于能否獲得良好的導電性和良好的接線穩固性也非常重要。
臺階高度
IC封裝的臺階高度有多種應用。從球、突起物和導線的測量到包括壓模固定區域深度在內的封裝本身的幾何結構測量。
